Working Temperature

工作溫度

· Max. Temperature: 1750 °C  (< 1 hr)

   最高溫度：1750℃(< 1 hr)

· Continuous working temperature: 1700 °C

   持續工作溫度：1700℃

· Heating Rate: below 1400℃，≤10°C /min； 1400-1650℃，≤5°C /min

   升溫速率：1400℃以下，≤10℃/min；1400到1650℃，≤5℃/min

Heating Zone

加熱區

· Heating Zone Length:          11.81" ( 300mm)

         加熱區長度：11.81" ( 300mm)

· Constant  Zone Length:          5.9" (150mm)

  恒溫區長度：5.9" (150mm)

Temperature Controller

控溫方式

· PID automatic control and auto-tune function.

   模糊PID控制和自整定調節

· 30 programmable segments for precise thermal processing.

   智能化30段可編程控制

· Built-in protection for the over-heated and broken thermocouple. 

超溫和斷偶報警功能

· Temperature Accuracy: +/- 1 °C.

   控溫精度：+/- 1 °C

· S type thermocouple.

   S型熱電偶

Heating Elements

加熱元件

·  MoSi₂ rod（imported）

   進口硅鉬棒

Processing Tube

爐管

· Ceramic tube:  100OD*1300Lmm

         剛玉管：100（外徑）*1300（長）mm     

· Two fibrous ceramic tube blocks are included for blocking heat radiation generated from tube center. (Ceramic blocks must be fully inserted into the furnace chamber before heating).

   兩個氧化鋁管堵阻擋管中心產生的熱輻射（氧化鋁管堵必須在加熱前塞進爐膛）

   Ceramic boat to place the sample

         剛玉舟可用于放置樣品

Vacuum Flange

真空法蘭  

· Choose clamp flange or folding flanges depends on diameter of tube

         根據管徑不同，法蘭分為卡箍和折頁兩種密封方式

Vacuum Pressure

真空壓力

· 10^-1pa can be achieved by mechanical pump

   機械泵可達10^-1pa

· 10^-3pa can be reached by molecular pump

   分子泵可達10^-3pa

Dimensions

尺寸

Tube body 610*440*720mm（L*W*H without tube & flange）

爐體： 610*440*720mm（不含爐管和法蘭）

Net weight設備凈重

130kg

Warranty

質保

One year limited warranty with lifetime support  (Consumable parts such as processing tubes, and O-rings are not covered by the warranty, please  order replacements at related products below.)

一年質保終身支持（消耗品如爐管，O型圈不在質保范圍內，可點擊下方訂購更換件）

Compliance

認證

· CE Certified

   CE認證                  

Application Note

應用

l Widely used for high tem. Experiment environment, for example, vacuum or atmosphere sintering, substrate coating

   廣泛用于真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環境

l Widely used for new material field,such as semiconductor,nanometer material,carbon fiber,graphen

   廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領域